mtseo2022 发表于 2023-9-19 17:29:41

点元探测器

光入浸式光导室温型HgCdTe探测器介绍
PCI-n(n表示特性波长,单位是微米)系列的光电探测器是非制冷红外光电探测器,使用高折射率的GaAs(或CdZnTe )过半球透镜(标准)或者半球透镜(可选)进行光浸入。这些装置在2~12μm范围内的任意值可以达到好的性能。他们的高性能和稳定性通过新开发的变隙(HgCdZnTe)半导体优化掺杂面和改进的表面处理来获得。可以按客户所定制器件的要求提供四象限单元、多元件阵列、各种浸润镜头、视窗和光滤波器。
光入浸式光导室温型HgCdTe探测器参数
特性(@ 20oC)        单位        LD-PCI-4        LD-PCI-5        LD-PCI-6        LD-PCI-9        LD-PCI-10.6
特性波长λop        μm        4        5        6        9        10.6
探测率:
at λ? peak, 20kHz
at λop, 20kHz        cmHz1/2/W         
>1E10
>6E9         
>6E9
>4E9         
>2.5E9
>1E9         
>5E8
>1E8         
>1E8
>5E7
响应度-@λop        Vmm/W        >600        >300        >60        >3        >1
响应时间τ        ns        <1000        <500        <200        <2        <1
1/f噪声拐点频率        kHz        1-20        1-20        1-20        1-20        1-20
有效面积(长×宽)        mm×mm        0.25×0.25; 0.5×0.5; 1×1; 2×2
偏置电流-宽度比        mA /mm        1-2        2-4        3-10        3-15        5-20
薄层电阻系数        Ω/sqr        300-1000        200-400        100-300        50-150        40-120
视场, F#        deg        36,1.62

更多信息:点元探测器
http://www.leadingoe.com.cn/leadingoe01-SonList-539797/
https://www.gkzhan.com/st169227/product_8507801.html
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