英飞凌宽禁带论坛倒计时丨多款创新产品首次亮相
电机控制芯片 英飞凌致力于通过其创新的宽禁带(WBG)半导体技术推进可持续能源解决方案。本次英飞凌宽禁带论坛将首次展出多款CoolSiC™创新产品，偕同英飞凌智能家居方案，以及电动交通和出行方案在Electronica China 2024(慕尼黑上海电子展)4号展馆共同亮相，小编先带你一睹为快! 英飞凌于今年推出了市面上第一款击穿电压达到2000V的CoolSiC™ MOSFET分立器件，其开关损耗低，采用TO-247PLUS-4-HCC封装，爬电距离为14mm，电气间隙为5.4mm。适用于1500VDC的光伏组串逆变器、储能系统和电动汽车充电等应用。此外，最新推出的2000V 40A CoolSiC™二极管也将在展台同步亮相。欢迎到现场一探究竟! 新一代CoolSiC™ MOSFET G2产品 正式揭开神秘面纱 英飞凌于今年重磅推出新一代CoolSiC™ MOSFET Gen2技术。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V Generation 2技术在确保质量和可靠性的前提下，将MOSFET的主要性能指标(如能量和电荷储量)提高了20%。值得一提的是，该产品具有业界最低的Rds(on)导通电阻，单个单管封装可低至7 mΩ。该技术在保证低导通电阻的同时，承诺2μs的短路能力，在业界遥遥领先。此外，新一代CoolSiC™ MOSFET Gen2技术的最大工作结温直接提升到200摄氏度，相较于第一代产品有了显著的提升。 全面展示Easy SiC模块产品系列 呈现完整产品线阵容 英飞凌Easy模块具有可扩展性和灵活性，Easy 1B和2B模块已上市多年，应用十分广泛。为了确保以同样模块高度设计更高功率的系统，英飞凌进一步开发了Easy 3B和4B模块。这两款封装可以带来更高的功率、更大的电流，采用1200V CoolSiC™ MOSFET芯片，以更好地满足新兴应用的要求。目前，1200V CoolSiC™ MOSFET M1H Easy模块拥有丰富的拓扑结构，包括半桥、全桥、三相桥、三电平以及boost。其中半桥的Easy3B模块，最小Rds(on)为2mΩ。本次展台将首次展示最完整的Easy碳化硅产品线全阵容。 智能家居区域 GaN产品组合 240W单端口HFB + GaN参考设计 3kW 高效无桥图腾柱PFC评估板 3KW 高效率LLC谐振变换器评估板 雷蛇 280W 氮化镓充电器 英飞凌中压氮化镓马达驱动方案 可上下滑动查看 智能电磁炉 英飞凌的产品组合，涵盖了设计高端电磁炉所需的一切解决方案。先进的组件包括微控制器、IGBT、栅极驱动器、电流传感器、HMI、麦克风和连接，让您更快地完成开发。这款全功能入门套件的先进功能可确保您的电磁炉解决方案在未来几年内保持领先地位。 可上下滑动查看 维也纳PFC方案英飞凌使用低成本高性能的XMC™ MCU与Easy PIM™模块相结合，实现了高效低成本的维也纳PFC方案。
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