英飞凌加速氮化镓布局，引领低碳高效新纪元
磁性传感器 近年来，随着科技的不断进步和全球对绿色低碳发展的需求日益增长，半导体行业迎来了前所未有的发展机遇。氮化镓(GaN)作为一种新型半导体材料，以其高功率、高效率、耐高温等特性，在消费电子、电动汽车、可再生能源等多个领域展现出巨大的应用潜力。作为全球功率系统和物联网领域的半导体领导者，英飞凌在氮化镓领域持续深耕，通过战略布局、技术创新、市场应用拓展等不断巩固其市场地位。 近日，英飞凌在上海慕尼黑展会期间举办了一场专门的氮化镓新品媒体沟通会，会上英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务市场总监程文涛先生以及英飞凌科技大中华区消费、计算与通讯业务高级首席工程师宋清亮先生，向EEPW介绍了英飞凌在氮化镓领域的最新技术成果与新品，并分享其收购GaN Systems公司后带来的积极作用。 CoolGaN™技术的创新应用 氮化镓材料以其卓越的开关速度、超低导通阻抗以及高度集成设计，正引领着电子技术的革新。氮化镓器件能够轻松应对高频工作环境，显著减小了被动元器件和散热器的尺寸，从而降低了系统成本。同时，其单位面积导通阻抗远低于硅器件，在相同功率下减少了热量产生，提高了系统的能效比。 自2023年10月成功收购GaN Systems以来，英飞凌的氮化镓产品线得到了显著扩展。从原来的两种产品——分立式功率器件(Discrete Power)和集成式功率器件(Integrated Power)，扩展至五种创新产品，以满足不同应用场景的需求。新一代CoolGaN™半导体器件系列，专为高压(HV)与中压(MV)应用精心打造，极大地拓宽了氮化镓(GaN)技术的应用边界，覆盖40V至700V的广泛电压范围，加速推动了行业的数字化转型与低碳环保进程。 CoolGaN™ Transistor系列涵盖高压与中压多样产品，专注增强型器件，融合电压与电流型驱动技术，得益于GaN Systems收购，实现技术全面整合。所有氮化镓器件均为贴片封装，确保最小封装集成参数，展现高速特性优势。 CoolGaN™ BDS作为创新亮点，提供理想双向开关解决方案，解决传统MOS管拓扑结构限制，实现单颗器件双边可控，开关迅速，引领技术变革。该产品虽未上市，但预期将受市场热烈反响，适用于电池保护、大功率电池管理、电动工具及储能光伏等高压双向开关需求场景。 CoolGaN™ Smart Sense引入沟槽电流检测技术，通过内部沟槽采样电流，实现高精度电流监控，避免外部电阻损耗及高速开关下的杂讯问题，提升系统性能与稳定性。 针对市场长期存在的门极驱动难题，CoolGaN™ Drive提供集成化解决方案，简化设计，确保高效稳定驱动。该方案兼容原有硅器件驱动电压，无需调整偏置电压，实现无缝替换与升级，提升用户体验。
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