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　　金融界2024年10月18日消息，国家知识产权局信息显示，英飞凌科技奥地利有限公司申请一项名为“半导体器件”的专利，公开号CN 118782648 A，申请日期为2024年4月。

　　专利摘要显示，本公开涉及半导体器件。

　　根据实施例，提供了一种晶体管器件，其包括具有第一主表面的半导体衬底和一个或多个晶体管单元。每个晶体管单元包括在半导体衬底中形成的柱状沟槽、布置在柱状沟槽中的柱状场板和围绕柱状沟槽布置的台面。柱状沟槽包括场电介质、基底和侧壁。侧壁从基底延伸到第一主表面，并且场电介质对柱状沟槽的基底和侧壁进行内衬。场电介质在距基底的第一距离处的第一厚度小于场电介质在距基底的第二距离处的第二厚度其中第距离大于第二距离柱状场板在第距离处的第一周长大于柱状场板在第二距离处的第二周长。