冉冉

　　功率二极管

　　实际应用发现， 不加旁路二极管， 如果功率MOSFET 发生失效，那么，发生失效的条件通常是：输出满负载，系统进行老化测试、输入掉电测试以及输入AC 电源插拔的过程中。

　　在上述条件下，输入电压瞬态的降到为0，由于输出满载，PFC 输出大电容的电压VBUS 迅速降低到非常低的值，PFC 控制IC 的VCC 的电容大，VCC 的电流小，因此，VCC 的掉电速度远远小于VBUS 的掉电速度，VCC的掉电速度慢，高于PFC 控制IC 的VCC 的UVLO，那么PFC 控制IC 仍然在工作，如表1 为一款PFC 控制器的供电电压VCC 的特性，列出了UVLO 电压参数。实际工作中，输入交流AC 掉电时，PFC 控制IC 的VCC 电压的工作波形如图2 所示。

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　　当VCC 的值比UVLO 稍高一点时，输入电源AC 再加电，PFC 控制IC 没有软起动过程直接工作，由于输出电压比较低，特别是在输入正弦波峰值点附近开通功率MOSFET，PFC 电感和功率MOSFET 的工作峰值电流非常大，如果电感的饱和电流裕量不够，或PFC 的电流取样电阻选取得过小时，PFC 电感有可能发生饱和，功率MOSFET 在大电流的冲击下，就有可能发生损坏。

　　同时，功率MOSFET 的VGS 电压比较低，约等于PIC 控制IC 的VCC 的UVLO 电压，如果功率MOSFET的饱和电流比较低，就有可能会进入线性区工作，更容易导致功率MOSFET 线性区工作而损坏。[1-2]另外，如果电流取样电阻RS 在功率MOSFET 的驱动回路中，就是PFC 控制IC 的地，没有直接连接到功率MOSFET 的源极S，如图3 所示，功率MOSFET 的VGS 实际电压为：

　　VGS=VDR-VRS

　　高峰值电流导致RS 的压降VRS 变大， 功率MOSFET 的VGS 电压会进一步降低，就更容易进入线性区工作。

　　系统环境的温度升高时，PFC 控制IC 内部图腾柱上管的导通压降也会增加，VDR 电压降低，VGS 电压也会进一步降低，增加功率MOSFET 进入线性区风险。在输入正弦波峰值点附近开通功率MOSFET，一定范围内LC 的取值，导致震荡，也会导致率MOSFET进入线性区。

　　输入交流AC 掉电重起动的波形如图4 所示，可以看到，功率MOSFET 开通后，VDS 电压并没有完全降低到0，而是在比较高的电压下就关断，非常明显的进入到线性区工作。