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氮化镓晶体管       
　　氮化镓是一种无机物，化学式GaN，是氮和镓的化合物，是一种直接能隙的半导体。

　　但对于氮化镓，很多人只是有个模糊的概念，对于它实现小体积大功率背后的原理、以及为何能改变多行业格局其实并不清楚。

　　氮化镓有何优势?

　　由于氮化镓具有更小的晶体管、更短的电流路径、超低的电阻和电容等优势，氮化镓充电器的运行速度，比传统硅器件要快100倍。

　　禁带宽度大(3.4eV)，热导率高(1.3W/cm-K)，则工作温度高，击穿电压高，抗辐射能力强。

　　氮化镓易与AlN、InN等构成混晶，能制成各种异质结构，而且GaN晶格对称性比较低，具有很强的压电性和铁电性。

　　由于材料上的优势，GaN功率器件可以实现更小的导通电阻和栅极电荷(意味着更优秀的传导和开关性能)。因此GaN功率器件更适合于高频应用场合，对提升变换器的效率和功率密度非常有利。

　　什么是氮化镓技术原理?

　　氮化镓器件凭借着独特的器件特性，已经在快充领域发挥着越来越重的作用。但是传统的氮化镓器件的门极电压非常特殊，门极门槛电压极低，1V左右的门极电压就可以部分导通;门极耐压也只有6V左右。