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　　等离子去胶工艺流程主要包括以下几个步骤，以下将结合参考文章中的相关信息进行详细阐述：

　　1.准备阶段：
　　①进料：首先，将带有胶层的物件送入等离子去胶机中。在此阶段，确保物件被妥善放置在机器内部的适当位置。
　　②设置参数：根据具体的去胶需求，设置合适的工艺参数，包括工艺气体流向、工艺气体流量、射频功率、射频频率、去胶时间、真空压力值和腔体温度等。

　　2.等离子去胶阶段：
　　①气体电离：在高频电场的作用下，通过电容法放电，氧气在电场力的作用下发生电离，形成氧离子和自由电子，从而生成低温等离子体。
　　②物理清洗：通过等离子体中的氧离子对清洗物件进行轰击，达到去胶的目的。主要使用氧气和氩气等气体，通过射频产生氧离子，对清洗物件进行轰击，以获得表面光滑度的最大化，并且增加其亲水性。
　　③化学清洗：同时，等离子体中的氧原子核与光刻胶（基本成分是碳氢有机物）发生化学反应，生成一氧化碳、二氧化碳和水等产物，然后通过泵将它们抽走，完成光刻胶的去除。

　　3.后处理阶段：
　　①清洗：去胶后，对物件进行必要的清洗，以确保表面清洁。
　　②烘干：将清洗后的物件进行烘干处理，以去除残留的水分。

　　4.检测与评估：
　　①对去胶后的物件进行检测，评估其纯度、去胶效率、蛋白质活性（如果涉及蛋白质样品制备）、重复性和安全性等。

　　需要注意的是，在整个工艺流程中，应确保操作环境干燥，并且操作人员应佩戴适当的个人防护装备。此外，具体的工艺参数设置需要根据实际需求和物件特性进行调整。

　　以上信息仅供参考，如有需要，建议查阅相关领域的专业书籍或咨询专业人士。

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