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gydtep · 发表于 2020-4-20 08:30:16

从DRAM获取数据的代价比从内部SRAM获取数据的代价高500倍。

gydtep · 发表于 2020-4-20 10:24:26

由于NOR无法扩展到28nm/22nm以上，因此AI边缘芯片供应商正在研究几种下一代存储器类型，例如相变存储器（PCM）、STT-MRAM、ReRAM等。

gydtep · 发表于 2020-4-20 10:57:54

长期以来，英特尔一直在发售3D XPoint，这是一种PCM。

gydtep · 发表于 2020-4-20 12:27:12

STT-MRAM也在发售中，它具有SRAM的速度和闪存的非易失性以及无限的耐用性。

gydtep · 发表于 2020-4-20 13:46:13

但是，一些专家认为，MRAM仅支持两个级别，因此不适合内存计算。

gydtep · 发表于 2020-4-20 15:31:12

但是，可以使用多个存储设备制作存储权重的计算单元。如果使用3级权重（则权重可以为-1、0、1），则可以使用两个存储设备，

gydtep · 发表于 2020-4-20 16:38:59

除非有人走过去，否则一切都不会改变。

gydtep · 发表于 2020-4-20 18:10:35

在我们看来，理论上 ReRAM适合于1T1R设计（嵌入式），以及将来使用合适的交叉点选择器的1TnR。

gydtep · 发表于 2020-4-20 19:59:59

Imec评估了三个选择：SOT-MRAM、IGZO DRAM和投影PCM。自旋轨道扭矩MRAM（Spin-orbit torque MRAM，SOT-MRAM）是下一代的MRAM。

gydtep · 发表于 2020-4-20 21:58:49

业务元数据从业务角度描述了数据仓库中的数据，它提供了介于使用者和实际系统之间的语义层，